一、硫酸盐深孔镀铜的研究（论文文献综述）
胡爱君[1]（2021）在《三维叉指电容式湿度传感器结构设计与性能研究》文中研究表明不断革新的半导体工艺促使传统传感器不断向着小型化、智能化、多功能化发展,其中,对电容式微型气体/湿度传感器的研究也在MEMS技术和CMOS技术的带动下不断进步。本论文将聚焦于影响电容型微湿度传感器湿敏性能的敏感结构,针对目前存在的响应恢复时间长、制备工艺复杂等缺点,开展三维微结构设计与加工、传感器敏感薄膜制备及湿敏特性研究,具体研究内容如下:设计了四种电容式化学传感器的新结构。（1）穿孔平板电容式:针对之前平板电容式传感器响应慢的问题,在上、下平板电极上均设计了气孔,并结合微型气室的一体化封装形成强制对流而加快响应。（2）三维叉指电容式和（3）三维方螺旋电容式:针对平面电极结构中一半的电力线穿过基板而无法为敏感膜利用的问题,设计增高的电极结构来减少电力线的损失,从而提高器件的灵敏度。（4）悬浮三维叉指电容式:是在三维叉指电容式的基础之上的进一步改进,通过将电极结构与基板分离,以便分析物能从两面进入敏感薄膜,从而加快响应速度。三维叉指电容式和三维方螺旋电容式两种微结构,采用平面电极电镀增厚的方法进行了制备,并研究了光刻、蒸镀及电镀工艺的优化实验条件,最终成功实现了不同铜镀层厚度的三维叉指微结构,然而三维方螺旋微结构由于电流密度不均匀而没有制备成功。悬浮型三维叉指微结构采用深硅刻蚀与键合相结合的制备方法,并通过优化的工艺流程成功制备了不同叉指间距的悬浮型三维叉指微结构。穿孔平板电容式微结构设计了表面硅工艺和体硅工艺结合的工艺流程,但由于代工单位工艺不全而没有开展。完成MEMS加工的（2）和（4）两种微结构,其实质是侧立的平板电容器,为在两平板间的狭缝内涂覆敏感薄膜,尝试了利用微细结构的毛细作用力将滴涂在狭缝上的溶液吸入成膜的敏感薄膜制备新方法,湿敏材料选用高分子材料壳聚糖。湿敏测试结果表明,三维叉指湿度传感器表现出良好的重复性,其相对偏差在1%左右,其平均响应时间为33s至40s,恢复时间为11s至20s,具有较快的响应恢复速度。实验过程中还发现,悬浮型三维叉指湿度传感器的灵敏度会随着滴涂量的增加呈现出先上升后下降的趋势。尽管每次的滴涂量远大于狭缝的容积,但金相显微镜观察到在最大滴涂量15μL时,敏感溶液固化后会在叉指上表面堆积并将叉指缝隙黏封。此部分敏感膜较叉指缝中的敏感膜更具有吸附气体的竞争优势,然而其处在平板电场边缘处,敏感薄膜的吸附不能有效地转化为电容改变。而且,即使叉指狭缝的间距小至15μm,仍然未表现出将敏感溶液自动吸入的能力,表明太宽的狭缝不具有毛细管作用力。此外,电镀增厚的三维叉指和悬浮型三维叉指均表现出叉指间距越小其传感器灵敏度越高的趋势,与前人的研究结果一致。但是,上述两种传感器在极板间距相同、滴涂量相同时,却表现出传感器的灵敏度随电极高度增大而快速增大的变化规律。建立的三种双层电介质电容模型都不能解释这一实验现象。
陈雪丽[2]（2021）在《脉冲电沉积铜研究及其在高厚径比通孔互连中的应用》文中研究表明在印制电路板（Printed Circuit Board,PCB）的制造过程中,电沉积铜是实现通孔互连的关键技术。目前,为满足5G时代下通信和数据的高速大容量传输需求,背板的设计趋向于大尺寸、超多层、高厚度和小孔径化,导致通孔厚径比不断增大,使实现通孔内铜的均匀电沉积变得越来越困难。对于高厚径比通孔,电沉积过程中孔中心电流密度会远低于孔口电流密度,往往导致孔中心与孔口镀层厚度差异大,难以实现通孔的良好互连;此外,生产过程中阳极与镀液添加剂间复杂的化学/电化学反应会改变添加剂浓度并产生阳极泥及其它副产物,造成镀液均镀能力下降。本文以提高高厚径比通孔镀层均匀性为目标,探究了电沉积过程中各添加剂组分及脉冲参数对镀层均匀性的影响,以及阳极与镀液添加剂的反应,并开发出高厚径比通孔互连的脉冲电沉积镀液配方。具体研究内容及结论如下:（1）研究了正反向脉冲电沉积过程中三种抑制剂、两种加速剂、三种整平剂分别对铜沉积电位的影响。并结合脉冲参数进行优化,得到了适于孔径200μm、厚径比18:1通孔的施镀条件。具体为:基础镀液（VMS:95/240/70）+聚二硫二丙烷磺酸钠（SPS:3 mg/L）+聚乙二醇（PEG-8000:1000 mg/L）+绿色染料（10 mg/L）;正向电流密度2 A/dm2、反向电流密度6 A/dm2、正向脉冲时间150 ms、反向脉冲时间5 ms。上述条件下通孔均匀性达80%以上,且镀层性能满足工业生产要求。（2）分析了阳极泥的组成和结构,探究了阳极膜的形成条件,进而讨论了阳极与镀液组分的反应机理。研究发现阳极泥中主要含有Cu、Cl、C、O、P和S元素,暗示整平剂并未参与阳极成膜过程;电化学实验表明阳极中P与镀液中Cl-是形成阳极膜的必要条件,抑制剂与加速剂均参与了成膜。通过研究知道,脉冲电沉积铜是制造高厚径比通孔的关键,添加剂配方和施镀参数是实现均匀电沉积的主要影响因素。同时阳极在整个电沉积过程中也发挥了重要作用,控制阳极和镀液间反应对维持镀液稳定性,尤其是添加剂浓度的稳定,以及限制副产物的产生有重要作用。
李立清,冯罗,吴盼旺,吴婧杰,黄志强,许永章,杨佳棋,季淑蕊[3]（2020）在《新型次磷酸钠体系化学镀铜添加剂及其对镀液和镀层性能的影响》文中认为目的将聚乙烯吡咯烷酮和二苯胺磺酸钠作为添加剂应用到次磷酸钠化学镀铜体系,并获取最佳应用效果的工艺和条件。方法以PCB环氧树脂板为基材,通过电化学方法研究以聚乙烯吡咯烷酮和二苯胺磺酸钠为添加剂的次磷酸钠体系化学镀铜液及其性能,用称量法研究添加剂对沉积速率的影响,用扫描电镜和X射线能谱仪分析添加剂对沉铜表面质量的影响,用极化曲线法研究添加剂对沉铜表面孔隙率的影响,用交流阻抗法研究添加剂对沉铜表面耐蚀性的影响,同时测定镀液的稳定性。结果在p H=10、温度为65℃的基础液（成分为5 g/L五水硫酸铜、30 g/L次磷酸钠、16 g/L柠檬酸钠、30 g/L硼酸、1 g/L硫酸镍）中,单独加入聚乙烯吡咯烷酮或二苯胺磺酸钠,都能起到很好的沉铜效果。它们的最佳质量浓度分别为20～28mg/L和50～58mg/L。当聚乙烯吡咯烷酮和二苯胺磺酸钠在最佳范围内组合使用时,获得的镀液更稳定,镀层孔隙率低、耐蚀性好、表面均匀,表面铜的质量分数达到95.52%,镀层显粉红色,沉积速率在1.5～2.5μm/h范围内,符合PCB行业要求。结论最佳的化学镀铜液配方和条件为:5 g/L五水硫酸铜、30 g/L次磷酸钠、16 g/L柠檬酸钠、30 g/L硼酸、1 g/L硫酸镍、20～28 mg/L聚乙烯吡咯烷酮、50～58 mg/L二苯胺磺酸钠,pH=10,温度65℃。研究成果对电镀铜添加剂的开发和应用有重要意义。
彭华领[4]（2017）在《低孔隙率HEDP镀铜工艺及镀层性能研究》文中研究指明酸性硫酸盐、焦磷酸盐等镀铜工艺由于镀层结合力差、孔隙率高等缺点,无法满足航空企业对镀铜层性能多样化的要求,因此,我国航空企业镀铜工艺目前依然以含剧毒氰化物的氰化镀铜工艺为主,而HEDP镀铜工艺能够在钢铁件上直接电镀,镀液深镀能力好,电流效率高而广受关注。针对镀铜层孔隙率高的缺点,在HEDP镀液中加入添加剂A、B,研究其阴极极化作用、润湿作用、整平作用,确定添加剂的适宜浓度,同时辅助施加阴极移动降低镀层孔隙率,并从镀液和镀层性能角度,将HEDP镀铜与氰化镀铜工艺进行综合比较;采用滴定分析方法测试了HEDP镀铜液中Cu2+、HEDP含量随通电量的变化,并依据工艺要求进行调整维护;采用电化学等试验方法,比较不同钝化工艺对HEDP镀铜层耐蚀性的影响,并对其机理进行初步探讨。主要研究结果如下:在HEDP镀铜基础液中加入0.4 g/L添加剂A和2 mg/L添加剂B,添加剂的吸附作用使得极化电位提高,阻化铜的沉积并使晶粒得到细化,添加剂A能够降低镀液的表面张力和固液界面自由能,增强镀液对阴极界面的润湿能力,有利于镀液在试样表面的铺展,从而有效抑制析氢反应,同时辅助施加3 cm/s的阴极移动,缩短了氢气泡在试样表面的滞留时间,加速氢气泡的脱附逸出,避免了较大尺寸针孔和麻点的形成,镀层内部组织连续、结构致密。当镀层厚度仅8μm时孔隙率便可为0,而在相同的镀层厚度下,氰化镀铜及其他无氰镀铜工艺均有较高的孔隙率。HEDP镀铜溶液的深镀能力、分散能力均达到或超过氰化镀铜工艺的水平,尤其阴极电流效率远高于氰化镀铜工艺,此外,进行渗碳热处理时,HEDP镀铜层厚度约15μm,便可有效防止碳的扩散渗透,明显优于氰化镀铜工艺,其根本原因在于镀液电流效率高、镀层孔隙率低且结合力好。30CrMnSiNi2A试样经HEDP镀铜工艺处理后的氢脆性能合格;HEDP镀铜工艺对30CrMnSi A试样疲劳寿命的影响程度与氰化镀铜工艺相当。对于1 L的HEDP镀铜溶液,随着通电量的增大,镀液中Cu2+含量基本稳定,络合剂HEDP会发生水解导致含量下降,通电量增大约100 A·h需对HEDP进行补加调整,镀液性能稳定,维护方便。因此,HEDP镀铜工艺能够用来替代现行氰化镀铜工艺。采用HAD无铬钝化工艺,镀铜层耐蚀性优于六价铬钝化,其耐蚀性的提高与钝化膜致密度提高、膜层结构得到完善有关。
林志敏,余泽峰,蒋义锋,黄先杰,谢英伟,杨玉祥,杨防祖[5]（2016）在《产业化锌合金无氰镀铜工艺特征》文中指出介绍了自主开发的锌合金柠檬酸盐无氰镀铜工艺,并与国内外典型同类产品、氰化镀铜和预镀镍工艺的部分性能进行对比。研究表明,该无氰镀铜工艺在镀层外观、结合力、耐蚀性、沉积速率,镀液稳定性,工艺可控性,废水处理等方面完全达到技术要求,并已实现了大规模连续稳定工业化生产应用。
罗威[6]（2016）在《硅通孔中垂直铜互连成形过程的数值模拟研究》文中提出硅通孔技术是实现芯片在三维方向堆叠的技术,此技术具有提高芯片在平面上的集成密度、减小外形尺寸、降低互联延迟和实现低功耗等诸多优点,成为延续“摩尔定律”的芯片制造关键技术。电沉积铜作为实现硅通孔中实现互连的主要方式已经被业内广泛地研究,是因为其不仅有材料上的优势（铜有高的导电性、性能稳定和良好的热性能匹配）又有制造工艺上（电沉积容易控制和制造成本低）的优势。由于含TSV结构的电极特殊性,在使用电沉积铜制造互连成形中需要有多种添加剂加入来实现孔内无缺陷填充,然而多种添加剂的协同作用至今仍未能有全面的研究结果。此外,随着硅通孔技术在三维封装中的应用范围变广,孔尺寸需要在更大的范围变动以满足更为广泛的封装条件,这就需要研发更加适合的添加剂和工艺来满足这些广泛而各异的需求。如果能全面地了解添加剂之间的协同作用,并且得到添加剂在铜互连成形过程中的详尽作用机理,那么不单是对现有工艺改进还是研发新的工艺参数都将会是强力支撑。因此,研究添加剂在铜互连成形过程中的协同作用就变得非常重要。在需要完善上述研究中,因为添加剂协同作用速率和作用强度必然会用电极动力学方程进行定量分析,而广泛范围使用因为工艺的多样性和复杂性,如果使用有限元方法进行模拟,会节约大量时间和经济成本。如果铜的电沉积过程中出现的物理场能使用有限元方法进行多物理场的耦合解析,那必将大大提高研究多种添加剂协同作用对铜互连成形规律研究的效率。本文以研究多种添加剂协同作用为出发点,以电化学测试、实际电沉积铜的数值有限元模型为研究手段,结合电极反应动力学过程分析添加剂影响铜在含TSV结构的电极表面沉积行为,深入研究了尺寸为Φ20μm×100μm盲孔中铜在加速剂和抑制剂协同作用下的沉积规律,并通过分析规律建立一个优化工艺窗口。具体的研究内容及主要结论如下:1.结合加速剂的孔底聚集、添加剂相对传输速度机理和添加剂形成特定化合物,解析添加剂在具有TSV结构的电极表面上的行为,通过描述局部反应电流密度的变化,得到铜在孔内的沉积速度分布。研究表明对于具有同样孔深的孔,随着孔径的增加,PEG能够进入到孔内的量增加,从而能够在更加广泛的电极表面范围形成对铜沉积速度的抑制,其中孔口的抑制能让铜离子更好地进入到孔内,从而能有效地为铜在孔内沉积提供物质,然而孔径导致SPS形成聚集效应需要更长的时间,会导致填充完成时间延长。结果表明,使用添加剂在反应电极表面形成的化合物解析添加剂结构、并用吸附-取代-聚集描述添加剂行为的模型能很好的解析铜在含TSV结构电极表面的沉积过程。2.分析含多种添加剂的电镀液线性扫描曲线,得到添加剂覆盖率随着电极表面电势变化的趋势,根据添加剂的吸附-取代模型分析添加剂在电极表面的行为,从而得到孔内电极表面的电势分布,将其结果与平面电极测试结果对应,以此得到孔内电流密度分布。实验测试结果为电镀液中含有SPS、PEG和Cl-之后,其线性扫描曲线上出现较低电位处响应的反应电流较大,较高电位处响应的反应电流较小的峰谷现象,而峰谷的形状大小受到SPS浓度的影响。通过对添加剂在电极表面行为的动力学过程解析,我们发现峰谷能使用二种添加剂结合的覆盖率进行解析,并结合添加剂行为数值模型对铜沉积初期规律进行研究。结果表明,30min和60min时长的实验沉积结果与模型计算结果一致。3.通过建立以SPS为主导的添加剂吸附、脱附和取代的数值模型,对平面电极的电化学测试结果进行解析,确立了SPS的归一化覆盖率和实时吸附转变时刻。以SPS在饱和浓度50 ppm和过电势为0 V条件下的覆盖率作为归一化基础,分析不同浓度SPS在不同电势和物质浓度下平衡反应电流和吸附转变时间。结果表明,模型计算结果可以准确的拟合线性扫描测试结果。将此添加剂解析过程映射到含TSV结构的电极表面,同时加入加速剂在孔内的聚集行为,建立了解析孔尺寸为Φ20μm×100μm中铜沉积规律的数值模型。4.为了有效地分析模型填充结果,建立了瞬时孔变形速率比值CR和瞬时深宽比AR的定义。通过分析CR和AR,并结合孔内形貌和SPS覆盖率变化过程,发现实现无缺陷填充需要四个过程:1)SPS由孔底与孔壁结合处产生斜面,以及加速剂在斜面生长过程富集;2)孔底斜面在孔中心相遇,V型底面形成,V型顶端开始形成新的平整底面;3)新的平整底面形成后,底部开始快速生长;4)底面经过孔口最窄处,并开始外凸。通过定义填充判定方程R=2AR-CR,发现并通过模拟数据印证了R<0这一获得无缺陷填充的判据。5.在分析孔径大小、流入电流密度与铜离子浓度和解析得到的模型参数基础上,对SPS浓度和流入电流密度对铜互连形貌的影响进行了分析,得到一个合理的工艺窗口（具体工艺）,根据对工艺窗口内工艺模型计算的结果与实际结果对比发现,模型能准确预测实际填充结果中出现的缺陷规律。因此,此工艺窗口可以用来优化铜沉积过程,并且通过整个解析模型能建立一个由线性扫描曲线能判定铜在含TSV结构电极表面沉积形貌的体系。
任兵[7]（2016）在《HEDP无氰镀铜工艺研究》文中研究说明研究替代剧毒的氰化镀铜的无氰镀铜工艺具有重要的意义,HEDP镀铜体系因为其环保无毒和可以在钢铁基体上直接电镀而受到广泛关注。本文在通过稳态阴极极化曲线等电化学方法对HEDP镀铜液中的铜的电沉积行为进行了研究,推测了铜的还原过程与控制步骤。研究了HEDP/Cu2+的摩尔比和pH对镀层结合强度的影响。通过霍尔槽试验探讨了辅助络合剂酒石酸钾钠（C4O6H4KNa）的合适添加量,通过电化学、XRD等方法研究了C4O6H4KNa和润湿剂十二烷基磺酸钠（SDS）对镀层和镀液的作用及其作用机理,提出了一种低孔隙HEDP无氰镀铜工艺。主要研究结果如下:提出了14g/L碱式碳酸铜,90g/L HEDP,40g/L碳酸钾,2ml/L双氧水,7g/L酒石酸钾钠和0.1g/L十二烷基磺酸钠的HEDP镀铜配方。HEDP/Cu2+的摩尔比保持在3和4时阴极半光亮区范围宽,达到了0.23.58A/dm2;阴极电流效率在温度4065℃之间都≥90%,在50℃时达到了95.6%,高于氰化镀铜、焦磷酸镀铜和酒石酸-柠檬酸盐镀铜。加入润湿剂SDS能增大阴极极化,降低镀液的表面张力;加入0.1g/L SDS同时施加阴极移动,镀层厚度在8μm左右时孔隙率就能为零。C4O6H4KNa能增大极化的同时利于阳极溶解,霍尔槽试验结果表明C4O6H4KNa添加量314g/L比较合适,超过14g/L会使铜络合物放电困难,缩小光亮区范围。C4O6H4KNa不改变铜在玻碳电极上的形核方式,都遵循三维瞬时形核,但是加入7g/L C4O6H4KNa后增加了镀液成核数密度,镀层的晶粒大小由44nm减小到40nm,分散能力由基础液的66.42%提高到了83.87%。镀液的整平能力在加入0.1g/LSDS后由基础液的正整平9.3%降低到了负整平-7.6%。镀液深镀能力达100%,优于氰化镀铜。HEDP镀铜液在pH9和10时,HEDP与铜离子的主要络合形式为CuL2-,分别占到了97.13%,99.70%;HEDP镀铜阴极还原分为两步,存在前置转化步骤,可能的还原过程为CuL2- Cu2+,L4-,Cu2-2e Cu++T,阴极还原过程为不可逆过程。在-1.15V-1.30V范围内,主要发生CuL2-前置转换反应;-1.35V-1.50V范围内,主要发生铜的电结晶。在55℃温度下两步放电反应的阴极传递系数分别为（αn）1=0.2923和（αn）2=0.1176,交换电流密度分别为j10=7.8478×10-7和j20=1.0965×10-5,前置转化为阴极反应的控制步骤。提高pH或增大HEDP/Cu2+的摩尔比,都能使铁和铜电极的稳定电位负移,有利于提高镀铜层的结合力。铁电极在HEDP镀液虽有钝化倾向,但在pH大于9,HEDP/Cu2+摩尔比大于3时,镀层的结合力良好,同时铁和铜电极的稳定电极电位的电位差Δφ≤0.02V,这可能是钢铁件能在HEDP镀铜液中直接电镀且镀层结合力良好的原因。游离铜离子含量小于0.51×10-20mol/L,认为钢铁件在HEDP直接电镀铜层结合力良好。
刘佳[8]（2016）在《HDI板通孔与盲孔同步填孔电镀工艺研究》文中认为印制电路板（Printed Circuit Board,PCB）是重要的电子部件,是电子元器件的支撑体,是电子元器件电气连接的载体,它几乎应用于所有电子产品中,如智能手机、电脑、机器人和高端的医疗设备等。随着电子产品向智能化、微型化、便携化、多功能化发展,促使作为其载体的印制电路板朝着高密度互连方向发展,高密度互连（High Density Interconnect Board,HDI）印制电路板应用而生。HDI板是在印制电路板中引入微小导通孔和精细线路技术,经逐层叠加线路层和绝缘层,制作出常规多层电路板无法实现的多层、薄型、稳定和高密度化的印制电路板。微小导通孔和精细线路技术相结合是实现印制电路板高密度化的前提。其中,微小导通孔（通孔、盲孔、埋孔）通过孔金属化技术实现HDI板层与层之间电气互连。所谓孔金属化是指利用化学镀、电镀的方法,在PCB板的绝缘层孔壁上镀一层导电金属。因此,孔金属化技术的优劣直接影响PCB板导电性、散热性等电路板品质。常规的通孔和盲孔孔金属化流程是:首先,对通孔进行孔壁金属化,然后用树脂塞孔或导电胶填孔;其次,对盲孔进行电镀填铜。此流程需要两条电镀生产线,进行两次电镀,且后续塞孔易导致电气互连质量差,难以满足HDI板对电气互连可靠性的要求。为解决这些难题,本文以博敏公司盲孔填镀体系为研究对象,较系统研究了通孔和盲孔同步填孔电镀的可行性与有效性,主要内容及结论如下:1.影响盲孔电镀填孔的因素。以博敏公司现有盲孔填孔电镀体系为研究对象,采用单因素实验方法,考查影响盲孔电镀填孔效果的主要因素（硫酸铜、硫酸、Cl-、有机添加剂、电流密度、电镀时间）与填镀效果的关系,优化盲孔填孔电镀工艺和电镀配方,提高盲孔填孔质量。同时研究了各添加剂之间的相互作用及盲孔几何尺寸对盲孔填孔效果的影响。实验结果表明:硫酸铜、硫酸、Cl-、有机添加剂、电流密度、电镀时间均对盲孔填孔效果有影响,通过优化盲孔填孔电镀工艺和电镀配方,可以提高盲孔填孔质量;有机添加剂之间具有相互协同作用;盲孔尺寸对盲孔填孔效果具有一定影响。2.通孔电镀填孔工艺。通过对上述盲孔填孔电镀体系镀液配比进行适当调整,采用正交试验方法优化电镀液组成参数,探究该电镀液体系对高密度互连印制电路板通孔填孔电镀的可行性和有效性,为实现通孔和盲孔同步填孔电镀作基础。实验结果表明:该盲孔填孔电镀体系可用于通孔填孔电镀,填孔效果良好。对孔径100μm、孔深100μm的通孔（深径比1:1）,电镀填通孔的最优参数组合为:光亮剂0.5ml/L,湿润剂17ml/L,整平剂20ml/L,H2SO4 30g/L。各因素对通孔填孔效果的影响顺序是:湿润剂>整平剂>光亮剂>H2SO4。在此优化条件下,通孔填充效果显着提高,满足IPC-A-600H-2010品质要求。3.通孔和盲孔同步填孔电镀工艺。以上述实验为基础,使用该电镀液体系并选取合适的电镀液配比,采用直流电镀方式对通孔和盲孔进行同步填孔电镀,探究该电镀液体系对高密度互连印制电路板通孔和盲孔同步填孔电镀的可行性和有效性。实验结果表明:该电镀液体系对通孔和盲孔共填孔电镀具有良好的适应性和有效性。电镀过程中搅拌速率和微孔位置对填孔效果具有一定影响。同步填孔电镀技术采用简单的直流电镀方式,不仅简化了工艺流程,缩短了PCB生产周期,而且大幅提高了电路板导电导热性和机械强度。4.通孔、盲孔同步填孔电镀应用。为了体现通孔和盲孔同步填孔电镀技术的实用价值,将其应用于多层HDI板（通孔和盲孔几何尺寸不同）,探究其在实际生产中的可行性和有效性。实验结果表明:该电镀体系能实现多层板的通孔与盲孔同步填孔电镀,且采用改良型图形电镀的方法能够解决板面镀铜较厚问题,满足精细线路制作对面铜厚度的要求,即通孔、盲孔同步填孔电镀工艺可应用于HDI板制作。
陈国琴[9]（2016）在《印制电路板镀液贯穿式通孔电沉积铜的行为研究》文中指出电子产品功能集成与高性能要求,牵引着其元器件支撑体印制电路板的发展趋于小型化、功能化和高集成度化。通孔电镀铜是高性能印制电路板实现层间互连的方法之一,其质量将直接影响电子产品的电气可靠性、寿命等。在印制电路板对集成度和布线密度逐渐增加的趋势下,印制电路板互连所用的通孔厚径比随之提高,进而造成微孔镀液交换速率低下,孔内镀层厚度不均匀以及通孔均镀能力值减小。因而,通孔电镀铜均镀能力的提高对促进印制电路板技术的发展具有重要意义。本论文围绕印制电路板微通孔电镀铜均镀能力的提高开展系统研究,发明了一种高厚径比新型通孔电镀装置,并在该装置基础上考察印制电路板通孔的铜电沉积行为。提升微孔电镀技术的电镀均匀性和均镀能力是获得优良层间互连的基础,电镀过程的传质行为与多物理场因素控制是获得优质镀层的基本条件。本文发明的新型通孔电镀装置利用重力作用使微孔内镀液产生强制对流,从根本上改变电镀过程中镀液的传质过程,并且通过改进电极放置方式形成了新型通孔电镀装置施镀过程中均匀分布的电场、流场、温度场和磁场等多物理场效应,从而提升微孔电镀均匀性和均镀能力。与哈林槽相比,使用新型通孔电镀装置实现通孔电镀的研究结果表明:通孔厚径比为10.6（3.2:0.3）的均镀能力提升29.8%,通孔厚径比为12.8（3.2:0.25）的均镀能力提升32.7%且各厚径比通孔均镀能力差值小,最小值为0.7;增加施镀的电流密度,得到一致的实验结果,通孔厚径比为10.6的均镀能力提升18.1%,通孔厚径比为12.8的均镀能力增加22.4%。根据电化学原理,微孔中铜的电沉积行为不仅受到镀液传质、电场分布等因素的影响,同时也与镀液中添加剂存在形态、浓度等息息相关。对于要求具有优良电气性能铜镀层的印制电路板微孔电镀来说,添加剂的影响更为重要。论文采用正交实验设计方法优化新型通孔电镀装置电镀液添加剂浓度、电流密度和电镀液流量等影响条件,并研究了其对均镀能力的影响。结果获得了通孔电镀液的最佳电镀液添加剂浓度值与施镀电流密度;电镀内外槽的最佳电镀液面差为2 cm,即最佳电镀液流量为0.5 L/min,此时,通孔的均镀能力为79%,镀层平整致密,铜晶粒择优取向为（220）晶面。另外,在无整平剂体系中,新型通孔电镀装置的均镀能力明显高于哈林槽,并且能够保证良好的镀层形貌、结构和晶粒生长取向。印制电路板工业制造是一个连续过程,镀液中金属离子等杂质离子的积累效应会对工艺稳定性产生影响,其中铁离子的积累与行为最受关注。近年来随着不溶性阳极钛网的使用,钛离子和铵离子等杂质离子的积累与行为也引起人们的关注。在该新型通孔电镀装置的基础上研究杂质离子对通孔电沉积铜的影响,研究表明:铁离子电对会提升通孔均镀能力,厚径比为6.4（1.6:0.25）的通孔均镀能力从70.9%增加到76.0%,此外,镀液中加入铁离子电对可改善镀层平整性,降低镀层铜晶粒粒径尺寸且不会改变镀层成分和抗热冲击能力,但是会显着降低电流效率,增加电镀过程的电能消耗;电镀液中加入钛离子会小幅度提升电流效率;电镀液中加入铵离子并不会影响电流效率;此外,电镀液中含有钛离子和铵离子并不会影响均镀能力和镀层的抗热冲击能力且还可改善镀层的平整性。为探究铁离子电对加入电镀液后影响通孔电镀的原因,应用循环伏安测试方法考察铁离子电对加入电镀液的电化学行为。实验结果表明:电镀液中引入铁离子电对后在阴极发生还原反应并成为铜沉积的竞争反应,从而会导致电流效率下降,但是铁离子电对的存在会提升均镀能力;此外,电镀液中的铁离子电对并不会影响添加剂的电化学行为。
杨柳[10]（2016）在《中间相沥青基泡沫炭内表面化学镀铜的研究》文中研究说明泡沫炭由于孔径小、孔深大,内部孔壁表面化学镀铜技术有待突破。本研究从改进操作条件和改变还原剂两个方面进行探索,并进行相应的电化学分析。本文选用基材是中间相沥青基泡沫炭,并以石墨板为模拟基材探索化学镀铜的最佳镀液组成和工艺条件,采用SEM、电子万能材料试验机、四探针法、XRD、电化学工作站等进行了表征。化学镀铜中,镀液的流动方式直接决定泡沫炭内部孔壁的镀铜效果,直接置于镀液中反应泡沫炭内部基本无铜沉积；单向流动镀,沉铜量存在明显轴向梯度差异；双向流动镀,可以实现铜增量的均匀分布,且增重率在7.10%以上。双向流动镀中,孔壁的铜镀层颜色光亮,均匀致密,光滑平整,厚度超过5μm,且随分布变化很小；镀层纯度高；电学性能和机械性能得到均匀地改善,电导率从700S/cm增加至1774S/cm,压缩强度从0.70MPa增强至1.54MPa。从电化学角度分析了甲醛还原铜体系的可行性,采用循环伏安法和极化曲线法,讨论了甲醛、硫酸铜、EDTA二钠、酒石酸钾钠、2,2’-联吡啶的浓度和pH对阴阳两极半反应和总的氧化还原反应的影响,获得了最佳镀液组成和工艺条件与镀铜实验结果一致。采用单因素法试验获得次磷酸钠还原铜的最佳镀液组成和工艺条件：硫酸铜9.0g/L,次磷酸钠30g/L,柠檬酸钠20g/L,硫酸镍0.8g/L,亚铁氰化钾3.0mg/L,硼酸30g/L,pH为9,镀液温度为75℃。次磷酸钠还原铜体系的电化学分析,获得了与前述结果一致的最佳镀液组成和工艺条件。
二、硫酸盐深孔镀铜的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、硫酸盐深孔镀铜的研究（论文提纲范文）
（1）三维叉指电容式湿度传感器结构设计与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微型电容式气湿敏传感器的研究现状 |
| 1.2.1 平板电容式 |
| 1.2.2 叉指电容型 |
| 1.3 选题背景和研究意义 |
| 1.4 本论文主要研究工作 |
| 第二章 三维微结构电容式气湿敏传感器的结构及工艺设计 |
| 2.1 结构设计 |
| 2.1.1 穿孔平板电容式微传感器 |
| 2.1.2 三维叉指电容式微传感器 |
| 2.1.3 三维方螺旋电容式微传感器 |
| 2.1.4 悬浮型三维叉指电容式微传感器 |
| 2.2 狭缝内成膜方法设计 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 三维叉指和三维方螺旋微传感器制备与性能研究 |
| 3.1 三维叉指和三维方螺旋微结构的简要制备流程 |
| 3.2 平面电极的制备 |
| 3.2.1 光刻 |
| 3.2.2 种子金属层制备 |
| 3.3 三维电极的电镀增厚制备 |
| 3.3.1 电镀液的配备 |
| 3.3.2 电镀实验平台的搭建 |
| 3.4 三维叉指传感器的湿敏性能研究 |
| 3.4.1 湿敏材料的选择 |
| 3.4.2 湿度测试平台的搭建 |
| 3.4.3 三维叉指传感器的湿敏性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 悬浮型三维叉指微传感器制备与性能研究 |
| 4.1 悬浮型三维叉指微结构的制备工艺流程 |
| 4.1.1 双面光刻掩模版的设计与制备 |
| 4.1.2 悬浮型三维叉指微结构的制备 |
| 4.1.3 悬浮型三维叉指微结构的表征 |
| 4.2 悬浮型三维叉指传感器的湿敏性能研究 |
| 4.2.1 对器件不同吹气方式的湿敏响应对比 |
| 4.2.2 不同叉指间隙的湿敏响应对比 |
| 4.2.3 不同滴涂量的湿敏响应对比 |
| 4.2.4 不同测试频率下的湿敏响应对比 |
| 4.2.5 不同电极厚度的湿敏响应对比 |
| 4.3 三维叉指湿度传感器的双介质电容简化模型 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
（2）脉冲电沉积铜研究及其在高厚径比通孔互连中的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 5G通讯背板和高厚径比通孔 |
| 1.2 高厚径比通孔互连的影响因素 |
| 1.2.1 镀液组分的影响 |
| 1.2.2 施镀条件的影响 |
| 1.3 脉冲电沉积铜制作高厚径比通孔互连 |
| 1.3.1 正反向脉冲电沉积铜原理 |
| 1.3.2 正反向脉冲波形及参数 |
| 1.3.3 正反向脉冲下添加剂的吸附机理 |
| 1.3.4 正反向脉冲下阳极的影响 |
| 1.4 本课题研究背景及内容 |
| 第二章 高厚径比通孔脉冲电沉积铜技术研究 |
| 2.1 高厚径比通孔和电沉积均匀性 |
| 2.2 实验仪器及药品 |
| 2.3 实验方法 |
| 2.3.1 电化学实验 |
| 2.3.2 脉冲电沉积实验 |
| 2.3.3 通孔镀层性能的评价方法 |
| 2.4 实验结果与讨论 |
| 2.4.1 添加剂在脉冲电沉积铜中作用研究 |
| 2.4.2 脉冲参数及镀液配方的优化 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 磷铜阳极与镀液相互作用的研究 |
| 3.1 磷铜阳极和阳极泥 |
| 3.2 实验仪器及药品 |
| 3.3 实验方法 |
| 3.4 实验结果与分析 |
| 3.4.1 阳极泥电导率分析 |
| 3.4.2 阳极泥形貌分析 |
| 3.4.3 阳极泥元素和价态分析 |
| 3.4.4 阳极泥物相分析 |
| 3.4.5 阳极膜形成过程的电化学研究 |
| 3.4.6 阳极膜成因的分析和讨论 |
| 3.4.7 正反脉冲电沉积下磷铜阳极的电化学性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 结论与展望 |
| 4.1 结论 |
| 4.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（3）新型次磷酸钠体系化学镀铜添加剂及其对镀液和镀层性能的影响（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1.1 主要试剂和仪器 |
| 1.2 实验步骤 |
| 1.3 分析方法 |
| 1.3.1 沉积速率测定 |
| 1.3.2 镀液稳定性测定 |
| 1.3.3 镀层形貌以及成分分析 |
| 1.3.4 孔隙率测定 |
| 1.3.5 耐蚀性测定 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 工艺条件对化学沉铜效果的影响 |
| 2.1.1 添加剂对化学沉铜效果的影响 |
| 2.1.2 温度对化学沉铜效果的影响 |
| 2.2 镀液稳定性分析 |
| 2.3 镀层表面分析 |
| 2.3.1 SEM分析 |
| 2.3.2 EDS分析 |
| 2.3.3 孔隙率分析 |
| 2.3.4 耐蚀性分析 |
| 3 结论 |
（4）低孔隙率HEDP镀铜工艺及镀层性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电镀铜的发展现状 |
| 1.2.1 氰化镀铜 |
| 1.2.2 酸性硫酸盐镀铜 |
| 1.2.3 焦磷酸盐镀铜 |
| 1.2.4 EDTA镀铜 |
| 1.2.5 其他无氰镀铜体系 |
| 1.3 HEDP镀铜的研究现状 |
| 1.3.1 HEDP简介 |
| 1.3.2 HEDP镀铜的研究进展 |
| 1.4 本课题研究意义 |
| 1.5 本课题研究内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 实验材料、试剂及设备 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 实验试剂 |
| 2.1.3 实验设备 |
| 2.2 电镀溶液的配制 |
| 2.3 工艺流程 |
| 2.3.1 化学除油 |
| 2.3.2 活化 |
| 2.3.3 中和 |
| 2.4 实验装置 |
| 2.5 镀液及镀层性能表征方法 |
| 2.5.1 镀液性能 |
| 2.5.2 镀层性能 |
| 2.6 电化学测试方法 |
| 第3章 添加剂及阴极移动对镀层孔隙率的影响 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 工艺配方及条件 |
| 3.3 添加剂对镀层孔隙率的影响 |
| 3.3.1 添加剂的阴极极化作用 |
| 3.3.2 添加剂的润湿作用 |
| 3.3.3 添加剂的整平作用 |
| 3.3.4 添加剂对镀层孔隙率的影响 |
| 3.4 阴极移动对镀层孔隙率的影响 |
| 3.5 厚度-孔隙率关系曲线 |
| 3.6 防渗碳性能 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 HEDP镀铜工艺镀液及镀层性能研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 镀液性能 |
| 4.2.1 阴极电流效率 |
| 4.2.2 深镀能力 |
| 4.2.3 分散能力 |
| 4.3 镀层性能 |
| 4.3.1 表面光泽度 |
| 4.3.2 结合力 |
| 4.4 HEDP镀铜试样氢脆性能 |
| 4.5 HEDP镀铜试样疲劳性能 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 HEDP镀铜槽液成分分析及调整 |
| 5.1 槽液成分分析 |
| 5.1.1 Cu~(2+)的分析 |
| 5.1.2 HEDP的分析 |
| 5.2 槽液调整及寿命 |
| 5.2.1 槽液调整依据 |
| 5.2.2 槽液调整过程 |
| 5.3 杂质的影响及去除 |
| 5.3.1 阳离子杂质的影响及去除 |
| 5.3.2 阴离子杂质的影响及去除 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 HEDP镀铜层钝化膜耐蚀性研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 钝化工艺配方及条件 |
| 6.3 钝化膜的耐蚀性 |
| 6.3.1 盐水浸泡实验 |
| 6.3.2 耐稀硝酸点滴实验 |
| 6.3.3 极化曲线 |
| 6.3.4 交流阻抗 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表论文 |
| 致谢 |
| 附录 |
（5）产业化锌合金无氰镀铜工艺特征（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1.1 镀液组成与工艺条件[10-12] |
| 1.2 锌合金挂镀、滚镀工艺流程 |
| 1.3 赫尔槽试验 |
| 1.4 电流效率的测定 |
| 1.5 镀液覆盖能力的测定 |
| 1.6 镀液分散能力的测定 |
| 1.7 镀层结合力测试 |
| 1.8 镀层孔隙率测试 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 无氰镀铜工艺及技术要求 |
| 2.2 镀液稳定性 |
| 2.3 几种锌合金预镀铜工艺的性能比较 |
| 2.4 XCu-Zn锌合金预镀铜工艺的其他性能 |
| 2.5 锌合金预镀铜XCu-Zn工艺的工业化生产应用 |
| 3 结论 |
（6）硅通孔中垂直铜互连成形过程的数值模拟研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 前言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 TSV技术概述 |
| 1.2.1 TSV互连制造过程 |
| 1.2.2 TSV技术的使用现状 |
| 1.3 TSV中的铜互连成形技术 |
| 1.3.1 铜互连成形技术 |
| 1.3.2 铜互连成形中的电沉积技术 |
| 1.3.3 铜互连成形中的电沉积原理 |
| 1.4 TSV中铜沉积的数值模型 |
| 1.4.1 加速剂为主要影响因素的CEAC模型 |
| 1.4.2 解析添加剂覆盖率的动力学模型 |
| 1.4.3 蒙特卡洛动力学解析添加剂行为的模型 |
| 1.4.4 其他数值模型 |
| 1.5 本文研究内容与意义 |
| 第二章 铜互连成形过程的模型探讨 |
| 2.1 模型的假设 |
| 2.2 模型的建立 |
| 2.2.1 物质的传输 |
| 2.2.2 添加剂在电极表面的行为 |
| 2.2.3 电沉积的动力学方程 |
| 2.2.4 模型计算的方法和参数设定 |
| 2.3 用于验证模型的填充实验 |
| 2.4 模型计算结果与分析 |
| 2.4.1 孔径为20μm的填充结果与分析 |
| 2.4.2 孔径为30μm的填充结果与分析 |
| 2.4.3 孔径为40μm的填充结果与分析 |
| 2.4.4 孔径为50μm的填充结果与分析 |
| 2.5 本章总结 |
| 第三章 解析铜互连成形初期形貌的模型 |
| 3.1 多种添加剂协同作用下的电化学特性表征 |
| 3.1.1 实验条件 |
| 3.1.2 线性扫描结果与分析 |
| 3.2 电势分布的数值模型 |
| 3.2.1 模型的理论依据 |
| 3.2.2 模型的建立 |
| 3.3 模型和实验的结果和分析 |
| 3.4 本章总结 |
| 第四章 添加剂行为的数值解析与铜互连成形的模型 |
| 4.1 模型的解析 |
| 4.1.1 物质的传输 |
| 4.1.2 添加剂的吸附行为 |
| 4.1.3 电极表面的沉积反应过程 |
| 4.2 利用电化学测试分析添加剂的行为 |
| 4.3 模型中的动力学参数 |
| 4.3.1 吸附速率常数 |
| 4.3.2 脱附速率常数和取代速率常数 |
| 4.3.3 使用TSV孔电极对参数进行验证 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 铜互连成形规律的数值模型研究 |
| 5.1 影响铜填充的因素 |
| 5.1.1 典型由底向上生长过程分析 |
| 5.1.2 电流密度影响 |
| 5.1.3 加速剂浓度影响 |
| 5.1.4 铜离子浓度影响 |
| 5.1.5 孔径的影响 |
| 5.2 模型对沉积工艺的优化 |
| 5.2.1 SPS浓度和流入电流密度的最佳区域 |
| 5.2.2 低SPS浓度和适当流入电流密度区域 |
| 5.2.3 适当SPS浓度和低流入电流密度区域 |
| 5.2.4 高SPS浓度和适当流入电流密度区域 |
| 5.2.5 适当SPS浓度和高流入电流密度区域 |
| 5.3 形成填充缺陷的影响因素总结 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 全文总结和展望 |
| 6.1 本文主要结论 |
| 6.2 本文主要创新点 |
| 6.3 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读期间发表的学术论文及获得荣誉 |
（7）HEDP无氰镀铜工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电镀铜的研究进展 |
| 1.2.1 国内外研究进展 |
| 1.2.2 无氰镀铜工艺介绍 |
| 1.3 HEDP镀铜的研究现状 |
| 1.3.1 HEDP简介 |
| 1.3.2 HEDP镀铜的研究进展 |
| 1.4 课题意义及研究内容 |
| 1.4.1 本课题研究意义 |
| 1.4.2 本课题研究内容 |
| 第2章 试验方法 |
| 2.1 试验药品与试验仪器 |
| 2.1.1 试验药品 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 电镀液的配制 |
| 2.3 电镀工艺流程 |
| 2.4 实验装置 |
| 2.4.1 电镀实验装置 |
| 2.4.2 电化学测试装置 |
| 2.5 实验方法 |
| 2.5.1 镀层质量的表征方法 |
| 2.5.2 镀液性能的表征方法 |
| 2.5.3 电化学测试方法 |
| 第3章 HEDP镀铜工艺研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 摩尔比对镀铜的影响 |
| 3.2.1 阴极极化曲线 |
| 3.3 铜离子含量对阴极极化的影响 |
| 3.4 温度的影响 |
| 3.4.1 温度对Hull槽试片的影响 |
| 3.4.2 温度对电流效率的影响 |
| 3.5 时间和电流密度对镀铜层的影响 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 HEDP镀铜辅助络合剂和润湿剂的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 润湿剂降低镀层空隙的研究 |
| 4.2.1 阴极极化曲线 |
| 4.2.2 厚度-孔隙率关系曲线 |
| 4.2.3 SDS的润湿作用 |
| 4.3 辅助络合剂酒石酸钾钠对HEDP镀铜的影响 |
| 4.3.1 酒石酸钾钠对阴极电流密度分布的影响 |
| 4.3.2 酒石酸钾钠对阴极极化曲线的影响 |
| 4.3.3 酒石酸钾钠对形核的影响 |
| 4.4 HEDP镀铜液性能的测试 |
| 4.4.1 镀铜液的整平能力 |
| 4.4.2 镀铜液的深镀能力 |
| 4.4.3 镀铜液的分散能力 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 HEDP镀铜的还原过程 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 HEDP铜络合物的分布 |
| 5.3 电化学方法研究HEDP铜还原过程 |
| 5.4 阴极还原控制步骤 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 HEDP镀铜层结合力的研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 pH对镀层结合力的影响 |
| 6.3 HEDP/Cu~(2+)的摩尔比对镀层结合力的影响 |
| 6.4 游离铜离子含量影响镀铜层结合强度 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间表论文 |
| 致谢 |
（8）HDI板通孔与盲孔同步填孔电镀工艺研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 1 绪论 |
| 1.1 印制电路板简介 |
| 1.1.1 概念、特点与分类 |
| 1.1.2 应用 |
| 1.2 HDI微孔制作关键技术及原理 |
| 1.2.1 钻孔技术及特点 |
| 1.2.2 导通孔电镀填铜技术 |
| 1.3 电镀铜填孔及机理 |
| 1.3.1 电镀铜体系 |
| 1.3.2 添加剂及其作用机理 |
| 1.3.3 填孔电镀设备 |
| 1.3.4 电镀填孔质量表征 |
| 1.4 课题的研究目的意义及内容 |
| 2 印制电路板电镀填盲孔的影响因素 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料与仪器 |
| 2.2.2 填孔样板的制备 |
| 2.2.3 电镀 |
| 2.2.4 盲孔填充效果表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 镀液配方对填孔效果的影响 |
| 2.3.2 电镀参数对填孔效果的影响 |
| 2.3.3 盲孔几何尺寸对填孔效果的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 通孔电镀填孔工艺研究与优化 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料与设备 |
| 3.2.2 试验板的制备 |
| 3.2.3 电镀液的配制 |
| 3.2.4 哈林槽电镀过程 |
| 3.2.5 通孔电镀的填充能力评价指标 |
| 3.2.6 电镀填通孔 |
| 3.2.7 通孔填铜电镀正交试验 |
| 3.2.8 可靠性测试 |
| 3.3 结果与分析 |
| 3.3.1 盲孔电镀液配方填充通孔的效果 |
| 3.3.2 正交试验结果分析 |
| 3.3.3 验证试验 |
| 3.3.4 可靠性测试结果 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 通孔和盲孔同步填孔电镀工艺研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料与设备 |
| 4.2.2 试验板的制备 |
| 4.2.3 电镀填通孔和盲孔 |
| 4.2.4 验证试验 |
| 4.2.5 可靠性测试 |
| 4.2.6 表征 |
| 4.3 结果与分析 |
| 4.3.1 填孔过程 |
| 4.3.2 搅拌速率的影响 |
| 4.3.3 微孔位置的影响 |
| 4.3.4 互连可靠性测试结果 |
| 4.3.5 验证试验结果 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 HDI板通孔和盲孔同步填孔电镀 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验材料与设备 |
| 5.2.2 多层板的制作 |
| 5.2.3 多层板通孔与盲孔共镀 |
| 5.2.4 改良型图形电镀 |
| 5.3 实验结果 |
| 5.3.1 多层板通孔和盲孔同步填孔电镀 |
| 5.3.2 改良型图形电镀 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| A 作者在攻读硕士学位期间取得的论文目录 |
| B 作者在攻读硕士学位期间取得的专利目录 |
（9）印制电路板镀液贯穿式通孔电沉积铜的行为研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 印制电路板电镀铜技术 |
| 1.1.1 印制电路板的定义、分类和互连结构 |
| 1.1.2 电镀铜技术 |
| 1.1.3 印制电路板常用电镀铜体系 |
| 1.1.3.1 焦磷酸盐电镀铜体系 |
| 1.1.3.2 氰化物电镀铜体系 |
| 1.1.3.3 硫酸盐电镀铜体系 |
| 1.1.3.4 其他电镀铜体系 |
| 1.2 印制电路板电镀铜技术研究进展 |
| 1.2.1 印制电路板镀铜装置研究 |
| 1.2.2 电镀液中杂质离子对电沉积铜的影响研究 |
| 1.3 论文的选题意义和研究内容 |
| 1.3.1 选题意义 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 第二章 镀液贯穿式通孔电沉积铜的行为研究 |
| 2.1 镀液贯穿式结构设计和电镀方法 |
| 2.1.1 镀液贯穿式结构 |
| 2.1.2 镀液贯穿式电镀方法 |
| 2.2 镀液贯穿式对通孔电沉积铜的影响 |
| 2.2.1 实验仪器及药品 |
| 2.2.2 镀液贯穿式通孔电沉积铜实验 |
| 2.2.3 镀液贯穿式通孔电沉积铜研究结果与讨论 |
| 2.2.3.1 镀液贯穿式对均镀能力的影响 |
| 2.2.3.2 镀液贯穿式对铜镀层表面形貌和择优取向的影响 |
| 2.3 镀液贯穿式电镀液配方的优化研究 |
| 2.3.1 电镀液配方优化实验 |
| 2.3.2 电镀液配方优化研究结果与讨论 |
| 2.3.2.1 电镀液添加剂及电流值的优化 |
| 2.3.2.2 电镀液流量的优化 |
| 2.4 镀液贯穿式中整平剂对通孔电沉积铜的影响 |
| 2.4.1 整平剂对通孔电沉积铜的影响实验 |
| 2.4.2 整平剂对通孔电沉积铜的影响研究结果与讨论 |
| 2.4.2.1 整平剂浓度对通孔电沉积铜的影响 |
| 2.4.2.2 无整平剂镀液体系对通孔电沉积铜的影响 |
| 2.5 本章内容小结 |
| 第三章 杂质离子对通孔电沉积铜的影响研究 |
| 3.1 实验仪器及药品 |
| 3.2 杂质离子对通孔电沉积铜的影响实验 |
| 3.3 杂质离子对通孔电沉积铜的影响研究结果与讨论 |
| 3.3.1 杂质离子对电流效率的影响 |
| 3.3.2 杂质离子对均镀能力的影响 |
| 3.3.3 杂质离子对镀层形貌的影响 |
| 3.3.4 杂质离子对镀层抗热冲击能力的影响 |
| 3.4 本章内容小结 |
| 第四章 Fe~(2+)/Fe~(3+)对电镀液性能的影响研究 |
| 4.1 实验仪器及药品 |
| 4.2 Fe~(2+)/Fe~(3+)对电镀液性能的影响实验 |
| 4.3 Fe~(2+)/Fe~(3+)对电镀液性能的影响研究结果与讨论 |
| 4.3.1 Fe~(2+)/Fe~(3+)对基础镀液的影响 |
| 4.3.2 Fe~(2+)/Fe~(3+)对整平剂的影响 |
| 4.3.3 Fe~(2+)/Fe~(3+)对抑制剂的影响 |
| 4.3.4 Fe~(2+)/Fe~(3+)对光亮剂的影响 |
| 4.3.5 Fe~(2+)/Fe~(3+)对电镀铜液的影响 |
| 4.3.6 Fe~(2+)/Fe~(3+)对镀层厚度、电流效率及均镀能力的影响 |
| 4.4 本章内容小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（10）中间相沥青基泡沫炭内表面化学镀铜的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 泡沫炭 |
| 1.1.1 特性及应用 |
| 1.1.2 泡沫炭的改性方法 |
| 1.2 化学镀铜的基本原理 |
| 1.2.1 化学热力学原理 |
| 1.2.1.1 金属氢化物原理 |
| 1.2.1.2 金属氢氧化物原理 |
| 1.2.2 化学动力学原理 |
| 1.2.3 电化学原理 |
| 1.3 甲醛还原铜和次磷酸钠还原铜过程 |
| 1.3.1 甲醛还原铜的电化学过程 |
| 1.3.2 次磷酸钠还原铜过程 |
| 1.3.2.1 原子氢过程 |
| 1.3.2.2 电化学过程 |
| 1.4 环保型还原剂 |
| 1.4.1 环保型还原剂的种类 |
| 1.4.2 环保型化学镀铜的发展 |
| 1.4.2.1 次磷酸钠化学镀铜的发展 |
| 1.4.2.2 乙醛酸及其他化学镀铜的发展 |
| 1.4.3 次磷酸钠还原铜镀液的制备 |
| 1.4.3.1 镀液组成 |
| 1.4.3.2 镀液配制方法 |
| 1.5 本文研究内容 |
| 第二章 镀液流动方式对泡沫炭内表面化学镀铜影响 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验试剂及设备 |
| 2.2.1 实验试剂 |
| 2.2.2 仪器设备 |
| 2.3 实验方法 |
| 2.3.1 实验材料 |
| 2.3.2 实验装置 |
| 2.3.3 工艺流程与施镀条件 |
| 2.3.3.1 工艺流程 |
| 2.3.3.2 镀液组成及工艺条件 |
| 2.3.4 实验 |
| 2.3.5 性能表征 |
| 2.3.5.1 沉积速率 |
| 2.3.5.2 SEM |
| 2.3.5.3 压缩强度 |
| 2.3.5.4 电阻率 |
| 2.3.5.5 XRD |
| 2.4 结果与讨论 |
| 2.4.1 镀液流动方式对铜增重率轴向分布的影响 |
| 2.4.2 镀液流动方式对镀层宏观表面形态轴向分布的影响 |
| 2.4.3 镀液流动方式对镀层微观表面形貌轴向分布的影响 |
| 2.4.4 镀液流动方式对镀铜泡沫炭压缩强度轴向分布的影响 |
| 2.4.5 镀液流动方式对镀层电导率轴向分布的影响 |
| 2.4.6 双向流动镀中镀铜泡沫炭的微晶参数 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 甲醛化学还原铜的电化学分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 孔隙镀覆的实现要求 |
| 3.2.1 实现镀覆铜的基本条件 |
| 3.2.2 沉积速率与流动速率 |
| 3.2.2.1 沉积速率 |
| 3.2.2.2 流动速率 |
| 3.3 电化学分析 |
| 3.3.1 实验 |
| 3.3.1.1 实验流程、仪器与试剂 |
| 3.3.1.2 实验方法 |
| 3.3.2 Cu(Ⅱ)的循环伏安特性研究 |
| 3.3.3 甲醛的循环伏安特性研究 |
| 3.3.4 甲醛阳极极化的特性研究 |
| 3.3.4.1 甲醛浓度对甲醛阳极极化的影响 |
| 3.3.4.2 2,2’-联吡啶浓度对甲醛阳极极化的影响 |
| 3.3.4.3 pH对甲醛阳极极化的影响 |
| 3.3.5 Cu(Ⅱ)阴极极化的特性研究 |
| 3.3.5.1 硫酸铜浓度对Cu(Ⅱ)阴极极化的影响 |
| 3.3.5.2 EDTA二钠浓度对Cu(Ⅱ)阴极极化的影响 |
| 3.3.5.3 酒石酸钾钠浓度对Cu(Ⅱ)阴极极化的影响 |
| 3.3.5.4 2,2’-联吡啶浓度浓度对Cu(Ⅱ)阴极极化的影响 |
| 3.3.5.5 pH对Cu(Ⅱ)阴极极化的影响 |
| 3.4 本章小节 |
| 第四章 以次磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验材料、试剂和仪器 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 实验试剂及仪器 |
| 4.3 实验方法 |
| 4.4 镀液组成与工艺条件对化学镀铜的影响 |
| 4.4.1 硫酸铜浓度对沉积速率的影响 |
| 4.4.2 络合剂与铜盐的配比对沉积速率的影响 |
| 4.4.3 硫酸镍与铜盐配比对沉积速率的影响 |
| 4.4.4 还原剂与络合剂的配比对沉积速率的影响 |
| 4.4.5 亚铁氰化钾浓度对沉积速率的影响 |
| 4.4.6 pH对沉积速率的影响 |
| 4.4.7 温度对沉积速率的影响 |
| 4.4.8 最佳镀液组成和工艺条件 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 次磷酸钠还原铜的电化学分析 |
| 5.1 实验方法 |
| 5.2 循环伏安特性研究 |
| 5.2.1 Cu(Ⅱ)的循环伏安特性研究 |
| 5.2.2 次磷酸钠的循环伏安特性研究 |
| 5.3 阴极和阳极极化的特性研究 |
| 5.3.1 次磷酸钠阳极极化的特性研究 |
| 5.3.1.1 次磷酸钠浓度对次磷酸钠阳极极化的影响 |
| 5.3.1.2 硫酸镍浓度对次磷酸钠阳极极化的影响 |
| 5.3.1.3 亚铁氰化钾浓度对次磷酸钠阳极极化的影响 |
| 5.3.1.4 pH对次磷酸钠阳极极化的影响 |
| 5.3.2 Cu(Ⅱ)阴极极化的特性研究 |
| 5.3.2.1 硫酸铜浓度对Cu(Ⅱ)阴极极化的影响 |
| 5.3.2.2 柠檬酸钠浓度对Cu(Ⅱ)阴极极化的影响 |
| 5.3.2.3 硫酸镍浓度对Cu(Ⅱ)阴极极化的影响 |
| 5.3.2.4 亚铁氰化钾浓度对Cu(Ⅱ)阴极极化的影响 |
| 5.3.2.5 pH对Cu(Ⅱ)阴极极化的影响 |
| 5.4 本章小节 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
四、硫酸盐深孔镀铜的研究（论文参考文献）
- [1]三维叉指电容式湿度传感器结构设计与性能研究[D]. 胡爱君. 电子科技大学, 2021(01)
- [2]脉冲电沉积铜研究及其在高厚径比通孔互连中的应用[D]. 陈雪丽. 电子科技大学, 2021
- [3]新型次磷酸钠体系化学镀铜添加剂及其对镀液和镀层性能的影响[J]. 李立清,冯罗,吴盼旺,吴婧杰,黄志强,许永章,杨佳棋,季淑蕊. 表面技术, 2020(07)
- [4]低孔隙率HEDP镀铜工艺及镀层性能研究[D]. 彭华领. 南昌航空大学, 2017(01)
- [5]产业化锌合金无氰镀铜工艺特征[J]. 林志敏,余泽峰,蒋义锋,黄先杰,谢英伟,杨玉祥,杨防祖. 电镀与涂饰, 2016(23)
- [6]硅通孔中垂直铜互连成形过程的数值模拟研究[D]. 罗威. 上海交通大学, 2016(03)
- [7]HEDP无氰镀铜工艺研究[D]. 任兵. 南昌航空大学, 2016(01)
- [8]HDI板通孔与盲孔同步填孔电镀工艺研究[D]. 刘佳. 重庆大学, 2016(03)
- [9]印制电路板镀液贯穿式通孔电沉积铜的行为研究[D]. 陈国琴. 电子科技大学, 2016(02)
- [10]中间相沥青基泡沫炭内表面化学镀铜的研究[D]. 杨柳. 天津工业大学, 2016(02)